根據 Wccftech 報導，任天堂下一代主機 Switch 2 有可能採用三星最新的第五代 V-NAND 快閃記憶體，將帶來更快的讀取速度與更流暢的遊戲體驗。本篇將帶你解析背後的技術與傳聞來源。

三星內部工程師曝關鍵線索

知名 Youtuber「Doctre81」在影片中發現，前三星高層的 LinkedIn 頁面透露他曾領導設計與開發一款用於「任天堂未來遊戲卡」的 V-NAND 控制器設備，與 Switch 2 傳聞高度吻合。

採用第五代 V-NAND，效能大躍進

該設備據稱搭載三星第五代 V-NAND，可提供高達 1.4GB/s 的讀取速度，比起目前 Switch 使用的 eMMC 顯著提升，能有效縮短載入時間與遊戲啟動速度。

Switch 2 技術架構持續曝光

據悉，Switch 2 預計搭載英偉達 T239 晶片，支援 DLSS 和光線重建等技術，結合高速 V-NAND，將為玩家提供次世代級的畫面表現與流暢度。

三星目標第 10 代 V-NAND 技術

更令人期待的是，三星正在研發第 9 與第 10 代 V-NAND，後者預計於 2025 年推出，意味著 Switch 2 若持續合作，未來升級空間巨大。

總體而言，這項技術搭配任天堂一貫優化過的遊戲系統，有望讓 Switch 2 成為載入速度與遊戲體驗兼具的輕主機新標竿。雖然官方尚未證實，但若屬實將是一大突破！